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J-GLOBAL ID：201802282886029142   整理番号：18A1567014

パルスレーザ蒸着により作製したホルミウムドープBiFeO_3薄膜の構造,表面形態,誘電および磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Structural, surface morphology, dielectric and magnetic properties of holmium doped BiFeO₃ thin films prepared by pulsed laser deposition

著者 (8件)： Sharif Sadia (Department of Physics, GC University, Lahore 54000, Pakistan) ,  Murtaza Ghulam (Centre for Advanced Studies in Physics, GC University, Lahore 54000, Pakistan) ,  Meydan Turgut (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, UK) ,  Williams Paul I. (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, UK) ,  Cuenca Jerome (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, UK) ,  Hashimdeen Shaikh H. (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, UK) ,  Shaheen Fozia (Department of Physics, GC University, Lahore 54000, Pakistan) ,  Ahmad Riaz (Department of Physics, GC University, Lahore 54000, Pakistan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 662  ページ： 83-89  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パルスレーザ蒸着を用いてSi(100)基板上にBi_1-xHo_xFeO_3(x=0,0.05,0.10,0.15および0.20)薄膜を成長させ,結晶構造,誘電および磁気特性に及ぼすHoドーピングの効果を研究した。非ドープBiFeO_3に関するX線回折研究は,14~24nm範囲の結晶子サイズを有する菱面体晶相の存在を確認した。薄膜の表面形態と微細構造を,電界放出走査電子顕微鏡と原子間力顕微鏡により分析した。結果は,Hoドーピング濃度が増加すると粒径が減少することを明らかにした。X線光電子分光法を用いて,HoドープBiFeO_3薄膜の化学結合,価電子帯コアレベルを同定した。Hoドープ試料の誘電定数と損失をベクトルネットワークアナライザを用いて測定し,非ドープBiFeO_3と比較して良好な誘電挙動を示した。振動試料磁力計を用いて,x≧0.15の濃度のHoドーピングに対する磁気的性質を調べた。ドープされていないBiFeO_3と比較して,ドープされた膜はより大きな残留磁化と飽和磁化を示した。Hoドーピングによるこれらの特性の増強を,磁場センサ,多重状態メモリおよびスピントロニック素子に対するBi_1-xHo_xFeO_3膜に基づくマルチフェロイック材料の設計におけるそれらの関連性と共に議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電率 ,  X線光電子分光法 ,  残留磁化 ,  X線光電子スペクトル ,  *薄膜 ,  価電子バンド ,  三方晶系 ,  結晶粒径 ,  基板 ,  *ホルミウム ,  微細構造 ,  ドーピング ,  *パルスレーザ蒸着 ,  飽和磁化 ,  結晶構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  *薄膜成長

著者キーワード (5件)： ビスマスフェライト ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  希土類ドーピング ,  磁性

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  ホルミウム ,  ドープ ,  薄膜 ,  表面形態 ,  磁気特性