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J-GLOBAL ID：201802282956901299   整理番号：18A1617600

グラフェン及び窒化ホウ素ナノリボンの熱伝導率,熱容量及び磁化率【JST・京大機械翻訳】

Thermal conductivity, heat capacity and magnetic susceptibility of graphene and boron nitride nanoribbons

著者 (2件)： Behzad Somayeh (Department of Engineering Physics, Kermanshah University of Technology, Kermanshah, Iran) ,  Chegel Raad (Physics Department, Faculty of Science, Malayer University, Malayer, Iran)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 88  ページ： 101-109  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Green関数法に基づくKubo-Greenwood式と密度関数理論(DFT)計算に基づく修正三次最近接強束縛近似を用いて,GNRsとBNNRの熱伝導率,熱容量,およびPauli常磁性磁化率の電子特性と温度依存性を電場の存在下で計算した。電場を増加させることにより,GNRsのバンドギャップはほぼ一定になり,電場の増加によりゼロに直線的に減少するBNNRのバンドギャップとは異なり,零に減少した。全ての構造に対する熱伝導率κ(T)は,その最大値まで温度と共に増加し,その後,更なる温度上昇により減少した。より低い(より高い)温度範囲において,電場はすべての構造に対してκ(T)を増加させる(減少)。A-BNNRの熱伝導率は,より低い(より高い)温度範囲で,A-GNRのそれより小さい(より大きい)。GNRとBNNRシステムの両方には,学scho異常があり,それらの熱容量は,schott異常ピークの前に増加して,それの後に減少する。GNRとBNNR系の両方に対して,常磁性磁化率χ(T)は温度と共に増加し,A-GNRのχ(T)はA-BNNRのχ(T)よりも大きい。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  *グラフェン ,  バンドギャップ ,  温度依存性 ,  *熱容量 ,  Green関数 ,  *磁化率 ,  強束縛近似 ,  *窒化ホウ素 ,  昇温 ,  密度汎関数法 ,  常磁性 ,  *熱伝導率
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  *ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラフェンナノリボン ,  窒化ホウ素ナノリボン ,  強い結合 ,  熱伝導率 ,  熱容量 ,  磁化率

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  窒化ホウ素 ,  ナノリボン ,  熱伝導率 ,  熱容量 ,  磁化率