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J-GLOBAL ID：201802283064265012   整理番号：18A0265935

交互ドープSiとMgによる倒立Y形障壁の改良によるAlGaN系紫外発光ダイオードの性能改善【Powered by NICT】

Performance improvement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by amending inverted-Y-shaped barriers with alternate doped Si and Mg

著者 (9件)： Hou Yufei (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Guo Zhiyou (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Liu Yang (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Guo Min (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Huang Jing (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Yao Shunyu (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Zhang Xiu (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Gong Xing (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Xu Zhihong (Laboratory of Nanophotonic Functional Material and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 107  ページ： 278-284  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のAlGaN系紫外発光ダイオード(UV LEDs)における交互ドープしたSiおよびMgを逆Y形状障壁を用いる効果をAPSYSシミュレーションプログラムにより調べた。結果は,特別に設計したUV-LEDは通常のAlGaN障壁とAlGaN組成傾斜障壁と比較して優れた光出力と内部量子効率(IQE)を持つことを示した。新しい構造の効率低下は2.17%に減少した通常のLEDの41.73%であった。添加では,AlGaN組成傾斜障壁における交互ドープしたSiとMgは明らかに正孔注入効率を改善し,キャリア分布を調節し,活性領域からの電子漏れを抑制し,このようにしてキャリア放射再結合速度を増強し,IQEと光出力パワーを改善する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マグネシウム ,  活性部位 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 放射再結合 ,  キャリア分布 ,  正孔注入 ,  性能劣化 ,  内部量子効率 ,  光出力 ,  組成傾斜 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： UV-LED ,  効率低下 ,  障壁 ,  キャリア分布

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  Si ,  Mg ,  障壁 ,  AlGaN ,  紫外発光ダイオード ,  性能改善