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J-GLOBAL ID：201802283121856239   整理番号：18A1615575

GaドープSmCrO_3におけるスピン再配向磁気転移【JST・京大機械翻訳】

The spin-reorientation magnetic transitions in Ga-doped SmCrO₃

著者 (9件)： Li H. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, College of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  Liu Y.Z. (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  Xie L. (Department of Physics, North China University of Technology, Beijing 100144, PR China) ,  Guo Y.Y. (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  Ma Z.J. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, College of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  Li Y.T. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, College of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  He X.M. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, College of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  Liu L.Q. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, College of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China) ,  Zhang H.G. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, College of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 15  ページ： 18913-18919  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オルトクロマイトSmCrO_3は34K付近でスピン再配向を示し,Γ_4からΓ_2への転移として帰属されることが知られている。一連のGaドープSmCrO_3におけるスピン再配向転移を報告した。T_SR2=88KでのΓ_4からΓ_2へのスピン再配向転移とT_SR1=15KでのΓ_2からΓ_1への他のスピン再配向転移を,Ga含有量が30%のときに同時に観測した。重要なことに,Γ_4→Γ_2の単一スピン再配向からΓ_4→Γ_2→Γ_1の二重項へのスピン再配向遷移の発展と,それからΓ_2→Γ_1の単一のものへの変化は,Gaドーピング濃度の増加によって引き起こされる。これらのスピン再配向転移の温度と磁場依存性を調べるために,M-TとM-H測定を行った。RCrO_3(R=希土類またはイットリウム)におけるスピン再配向転移のこれらの温度とドーピング依存性は,これらの発見に基づいて磁気スイッチング素子設計にアピールできる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イットリウム ,  二重項 ,  *磁気転移 ,  *ドーピング ,  *ガリウム ,  *スピン再配列
準シソーラス用語： 素子設計 ,  磁気スイッチング ,  磁場依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： オルトクロマイト ,  スピン再配向 ,  スピン配置

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  ドープ ,  スピン再配向 ,  磁気転移