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J-GLOBAL ID：201802283159442089   整理番号：18A1589609

酸化ガリウムアンモニア化によるシリコン基板上のGaN薄膜の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of GaN thin film on silicon substrate by gallium oxide ammoniation

著者 (3件)： I. Davis Jacob (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India) ,  M. Chitra (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India) ,  M. Chitra (Department of Physics, Anna University, Chennai 600 025, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 171  ページ： 51-57  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)薄膜を,窒化過程を通して化学蒸着した酸化ガリウム(Ga_2O_3)のアンモニア化によって成長させることに成功した。GA_2O_3を,管状炉における単純な蒸着法を用いて,シリコン基板上に蒸着した。堆積層の窒化は1273Kの低温で達成された。成長したGaN薄膜の構造的,光学的,形態的及び電気的性質をX線回折,SEM,AFM,光ルミネセンス及びI-V特性により調べた。結果は,成長した薄膜が~5μmの層厚と約0.3nmの粗さを持つウルツ鉱型結晶構造を持つことを示した。光ルミネセンススペクトルは,それに関連した種々のピークを有する幅広い発光ピークを示した。GaNSchottkyダイオードの対応するI-V特性を記録し,理想因子を計算した。作製したダイオードの光応答も記録した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 層厚 ,  発光 ,  *酸化ガリウム ,  表面粗さ ,  光ルミネセンス ,  窒化 ,  低温 ,  蒸着 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  *アンモニア ,  ダイオード ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 窒化ガリウム ,  酸化ガリウム ,  アンモニア化 ,  X線回折 ,  I-V特性 ,  フォトダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化ガリウム ,  アンモニア ,  シリコン基板 ,  GaN ,  薄膜