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J-GLOBAL ID:201802283182751326   整理番号:18A0841211

ペロブスカイト太陽電池の光起電力性能向上のためのCsBr処理による最適化界面と再結晶粒【JST・京大機械翻訳】

Optimized interface and recrystallized grains by CsBr treatment for enhanced photovoltaic performance of perovskite solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 389  ページ: 50-55  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ドーピング,界面最適化および再結晶は,高性能ペロブスカイト太陽電池(PSC)を作製するための有効なアプローチである。本研究では,簡単なCsBr処理を導入して,TiO_2ナノロッドベースのPSCの性能を改善した。Cs+とBr-の両方を同時にCH_3NH_3PbI_3にドープし,ペロブスカイトと正孔輸送材料(HTM)の間の界面を最適化した。さらに,この方法によりペロブスカイト粒を再結晶化した。最後に,CsBr処理により,充填因子(FF)で0.72%,開回路電圧(V_OC)で1.08%の電力変換効率(PCE)を得た。これは,未処理装置の19.91%(FFの0.65%,V_OCの1.02)より19.91%高かった。さらに,出力は室温で15%以内の湿度下で3500時間後に~14%を維持した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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