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J-GLOBAL ID:201802283215046981   整理番号:18A0312961

トポロジカル転移制御によるオプトエレクトロニクスデバイス開発

Optoelectronic Device Based on Topological Phase Transition
著者 (4件):
資料名:
号: 31 12月  ページ: 418-425  発行年: 2017年12月 
JST資料番号: L5491A  ISSN: 0919-3383  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・筆者らは,これまで超格子型相変化材料を用いたテラヘルツ波の検出に成功しており,テラヘルツ波の発生に関しても研究を行っている。
・トポロジカル絶縁体は,ディラックコーンと呼ばれる特殊なバンド構造を有し,ディラック点においてバンドギャップが閉じているため,テラヘルツ波を吸収することが可能である。
・相変化特性との組み合わせによって,トポロジカル転移が可能となれば,バンドギャップの開閉を誘起することによってテラヘルツ波の吸収が失われ透明となる。この特色を利用し,トポロジカル絶縁体の発生・変調・検出デバイスの実現が可能となると見込まれる。ここでは,実際にデバイスの可能性を模索することを目的とする。
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分類 (1件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 
タイトルに関連する用語 (3件):
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