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J-GLOBAL ID：201802283215046981   整理番号：18A0312961

トポロジカル転移制御によるオプトエレクトロニクスデバイス開発

Optoelectronic Device Based on Topological Phase Transition

著者 (4件)： 牧野孝太郎 (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  齊藤雄太 (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  中野隆志 (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  富永淳二 (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 31 12月  ページ： 418-425  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・筆者らは,これまで超格子型相変化材料を用いたテラヘルツ波の検出に成功しており,テラヘルツ波の発生に関しても研究を行っている。
・トポロジカル絶縁体は,ディラックコーンと呼ばれる特殊なバンド構造を有し,ディラック点においてバンドギャップが閉じているため,テラヘルツ波を吸収することが可能である。
・相変化特性との組み合わせによって,トポロジカル転移が可能となれば,バンドギャップの開閉を誘起することによってテラヘルツ波の吸収が失われ透明となる。この特色を利用し,トポロジカル絶縁体の発生・変調・検出デバイスの実現が可能となると見込まれる。ここでは,実際にデバイスの可能性を模索することを目的とする。

シソーラス用語： *光検出器 ,  *相転移 ,  *テラヘルツ波 ,  絶縁体 ,  バンド構造 ,  Dirac方程式 ,  バンドギャップ ,  ゲルマニウム合金 ,  アンチモン合金 ,  テルル合金 ,  周波数依存性 ,  トポロジカル絶縁体 ,  トポロジカル相転移
準シソーラス用語： トポロジカル転移

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル転移 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  開発