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J-GLOBAL ID：201802283405975251   整理番号：18A0839404

チオピラニリデン系非対称スクアラインの合成,構造および材料特性【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, structure and material properties of thiopyranylidene-based asymmetrical squaraines

著者 (7件)： Xiao Qi (Key Laboratory for Material Chemistry of Energy Conversion and Storage, Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, China) ,  Yang Shuo (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, 100190, Beijing, China) ,  Wang Rong (HEEGER Beijing Research & Development Center, School of Chemistry, Beihang University, 100191, Beijing, China) ,  Zhang Yuan (HEEGER Beijing Research & Development Center, School of Chemistry, Beihang University, 100191, Beijing, China) ,  Zhang Handong (Key Laboratory for Material Chemistry of Energy Conversion and Storage, Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, China) ,  Zhou Huiqiong (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, 100190, Beijing, China) ,  Li Zhong’an (Key Laboratory for Material Chemistry of Energy Conversion and Storage, Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, China)
資料名： Dyes and Pigments  (Dyes and Pigments)
巻： 154  ページ： 137-144  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0966B  ISSN： 0143-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいクラスのチオピラニリデン系NIR吸収非対称スクアライン(IPSQ1-4)を合成し,それらの光物理的,熱的,電気化学的および半導体的性質を注意深く調べた。10~4cm~2/Vsに近い高い正孔移動度は,IPSQ-3ベースの有機電界効果トランジスタ(OFET)に対して実現でき,大きなπ系をもつピラニリデン型末端基により誘起された強い分子間π-π相互作用に起因した。さらに興味深いことに,IPSQ-1および-4に対して,全体的に異なる分子配列,ヘリングボーンおよび「レンガ壁」型が得られ,IPSQ-4よりも,IPSQ-4の方が,IPSQ-4よりも良好な光起電力性能を示した。IPSQ-1は,IPSQ-4よりも約50倍優れていることが分かった。さらに,IPSQ-1は,IPSQ-4より良好な光起電力性能を示した。したがって,本研究における著者らの発見はスクアラインの構造特性の調整の意味を理解するのを助けることができ,これは高性能スクアライン系半導体の設計に非常に有用である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造特性 ,  末端基 ,  光起電力 ,  *非対称性 ,  電気化学 ,  煉瓦 ,  半導体
準シソーラス用語： 分子配列 ,  有機FET ,  正孔移動度 ,  光物理学 ,  *材料特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： スクアライン ,  チオピラニリデン ,  分子パッキング ,  半導体特性

分類 (1件)： 染料  (YJ05000I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 非対称 ,  材料特性