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J-GLOBAL ID：201802283585904425   整理番号：18A1365906

低速陽電子ビームによるシリカプラズマ重合膜のサブナノ細孔解析

著者 (7件)： 吉本茂 (東レリサーチセ) ,  吉本茂 (産業技術総合研) ,  伊藤賢志 (産業技術総合研) ,  熊谷和博 (産業技術総合研) ,  細見博之 (東レリサーチセ) ,  竹田正明 (東レリサーチセ) ,  都留稔了 (広島大)
資料名： アイソトープ・放射線研究発表会要旨集
巻： 55th  ページ： 64  発行年： 2018年06月20日 
JST資料番号： S0636B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *陽電子ビーム ,  *膜 ,  細孔 ,  *細孔構造 ,  陽電子消滅 ,  偏光解析法 ,  空隙率 ,  プラズマCVD ,  ポジトロニウム ,  細孔径 ,  吸着等温式 ,  *プラズマ重合 ,  熱処理 ,  *シリカ膜 ,  ナノ細孔 ,  アニーリング効果 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 陽電子消滅寿命測定法 ,  オルソポジトロニウム ,  アニール効果

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  エキゾチック原子・分子  (BH09010S)

物質索引 (2件)： TEOS ,  メタノール

タイトルに関連する用語 (6件)： 低速陽電子ビーム ,  シリカ ,  プラズマ重合膜 ,  サブ ,  ナノ細孔 ,  解析