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J-GLOBAL ID：201802283628978050   整理番号：18A1588203

PbTe/PbSnTe系II型超格子におけるバンド間吸収【JST・京大機械翻訳】

Interband absorption in PbTe/PbSnTe-based type-II superlattices

著者 (6件)： Ishida Akihiro (Department of Electronics and Materials Science, Faculty of Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Naruse Kazuma (Department of Electronics and Materials Science, Faculty of Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Nakashima Seisuke (Department of Electronics and Materials Science, Faculty of Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Takano Yasushi (Department of Electronics and Materials Science, Faculty of Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Du Shaoqing (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Hirakawa Kazuhiko (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 7  ページ： 072103-072103-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短周期PbTePb_1-xSn_xTeCaTe(x=0.36,0.48)超格子をKCl(100)基板上に調製し,それらのバンド間光吸収を測定した。超格子はPbSnTe層の第一価電子サブバンドからPbTe層の伝導サブバンドへの電子遷移に対応する2500cm-1以上の強い吸収を示し,反転ポピュレーション下でのレーザ動作に十分な光学利得を与えた。吸収係数は7から20μm以上の波長領域で温度の低下と共に増加した。吸収係数の増強は,波動関数の重なりの増強とII型超格子における二次元状態密度の増大により説明され,バンドギャップが減少しても大きな値を維持した。PbTePb_0.64Sn_0.36TeタイプIIヘテロ接合の伝導帯オフセットは120meVと推定された。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  波動関数 ,  光吸収 ,  ヘテロ接合 ,  吸収係数 ,  基板 ,  *超格子 ,  伝導バンド ,  電子遷移 ,  レーザ ,  二次元 ,  オフセット ,  価電子 ,  *テルル化鉛
準シソーラス用語： サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： PbTe ,  超格子 ,  バンド