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J-GLOBAL ID：201802283750362395   整理番号：18A0154556

メタマテリアルにおける近接場結合と欠陥により誘起されたマルチバンド吸収【Powered by NICT】

Multi-band absorption induced by near-field coupling and defects in metamaterial

著者 (5件)： Luu Dang Hong (Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, 18 Hoang Quoc Viet, Cau Giay, Hanoi, Viet Nam) ,  Tung Bui Son (Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, 18 Hoang Quoc Viet, Cau Giay, Hanoi, Viet Nam) ,  Khuyen Bui Xuan (Thai Nguyen University of Education, Thai Nguyen, Viet Nam) ,  Tuyen Le Dac (Department of Physics, Hanoi University of Mining and Geology, 18 Pho Vien, Hanoi, Viet Nam) ,  Lam Vu Dinh (Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, 18 Hoang Quoc Viet, Cau Giay, Hanoi, Viet Nam)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 156  ページ： 811-816  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,THz領域におけるマルチバンドメタマテリアル完全吸収体(MPA)を得るために二つの方法を提案した。最初のものは,MPAの構造における明共振器と暗共振器の間の近接場結合に基づいている。暗共鳴は明るい共鳴の近接場により励起されると,これらの共鳴の間の干渉が発生し,二重バンド吸収を与えた。次の段階では,第二の手法は,MPA構造中の欠陥を生成することにより適用した。欠陥の存在に起因して,付加的な完全吸収共鳴は第二共鳴に隣接するようである。著者らの研究は,マルチバンドMPAを用いた将来のTHzデバイスを作成するために別の方法寄与するかもしれない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共鳴 ,  吸収体 ,  共振器 ,  *近接場
準シソーラス用語： *マルチバンド ,  *メタマテリアル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： メタマテリアル ,  吸収 ,  近接場結合 ,  欠陥

分類 (3件)： 光の散乱,回折,干渉  (BD03030M) ,  光の像形成  (BD03050I) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

タイトルに関連する用語 (5件)： メタマテリアル ,  近接場 ,  欠陥 ,  誘起 ,  マルチバンド