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J-GLOBAL ID：201802283820142543   整理番号：18A0940967

2D材料とデバイスのための接触工学【JST・京大機械翻訳】

Contact engineering for 2D materials and devices

著者 (3件)： Schulman Daniel S. (Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA. [e-mail]) ,  Arnold Andrew J. ,  Das Saptarshi
資料名： Chemical Society Reviews  (Chemical Society Reviews)
巻： 47  号： 9  ページ： 3037-3058  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0479B  ISSN： 0306-0012  CODEN： CSRVBR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年にわたって,二次元(2D)層状材料の分野は,科学的に興味があり技術的に関連する多様な物理現象を研究するための新しいプラットフォームを約束している。接触は,これらの2D材料と3次元世界の間の通信リンクであり,それらの精巧な電子特性を探査し,利用する。しかし,接触に関連する基本的な課題は,しばしば2D材料とデバイスの最終性能と可能性を制限する。本論文は,2D材料への接触の基礎的理解と重要性,およびそれらを工学的および改良するための様々な戦略の包括的概観を提供する。特に,金属/2D接触界面におけるFermi準位ピン止めの現象,接触のSchottky対Ohm性および層間接触,位相工学接触,および基底対エッジ面接触を含む種々の接触工学アプローチを明らかにした。最後に,接触スケーリングのような比較的不十分で未解決の問題のいくつかについても議論し,将来の展望により結論した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピン止め ,  基底 ,  三次元 ,  位相 ,  積層材料 ,  Fermi準位 ,  *二次元
準シソーラス用語： 接触界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： 2D ,  工学