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J-GLOBAL ID:201802283846557771   整理番号:18A0135671

6,6,12 グラフィン バセド マグネト酸トンネル接合素子のスピン依存輸送とオプトエレクトロニクス特性【Powered by NICT】

The spin-dependent transport and optoelectronic properties of the 6,6,12-graphyne-based magnetic tunnel junction devices
著者 (10件):
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巻: 53  ページ: 1-13  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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密度汎関数理論と非平衡Green関数法を用いて,6,6,12 グラフィン バセド マグネト酸トンネル接合(MTJ)素子のスピン依存輸送とスピン分極光電子特性を調べた。結果は,MTJデバイスは顕著な二重スピンフィルタ効果と大きなトンネル磁気抵抗(TMR)を持つことを示した;MTJ素子のTMR値は10~5%と高かった。添加では,MTJ素子のスピン分極光電流は光の偏光方向と電極の磁化方向に依存することを見出した。二スピン分極光電流は,MTJデバイスで実現でき,二電極の磁化方向が逆平行ならば,二光生成スピンが反対方向に流れる。これらの興味深い現象は6,6,12 グラフィン バセドMTJ素子はオプトエレクトロニクスあるいはオプトスピントロニクスデバイスとして使用できることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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物理化学一般その他  ,  有機化合物の磁性  ,  有機化合物の電気伝導 

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