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文献
J-GLOBAL ID:201802284176465807   整理番号:18A0752649

亜ヒ酸誘導ヒストンH3修飾とHeLa細胞におけるEgr1とFos発現に及ぼすその影響【JST・京大機械翻訳】

Arsenite-induced histone H3 modification and its effects on EGR1 and FOS expression in HeLa cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 734-743  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0787B  ISSN: 0260-437X  CODEN: JJATDK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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三価ヒ素は変異原性を持たないが,ヒト発癌物質であることは明らかである。最近,後成的修飾はヒ素発癌性の重要な原因の1つと考えられている。ここでは,3価無機亜ヒ酸塩(iAs(III))による全体的ヒストンH3修飾とHeLa細胞における遺伝子発現への寄与を調べた。iAs(III)はヒストンH3K9ジメチル化(H3K9me2),ヒストンH3S10リン酸化(H3T11p)とヒストンH3K9S10トリメチルりん酸化(H3K9me3S10p)を誘導した。これらの修飾の中で,H3S10p,H3T11pおよびH3K9me3S10pは,特異的遺伝子座におけるクロマチン構造のリモデリングと関連すると思われる界面細胞における点状シグナルとして観察された。クロマチン免疫沈降アッセイを行い,FOS,EGR1およびIL8プロモーター周辺のヒストンH3修飾を調べた。以前の研究は,ヒストンH3修飾とこれらの遺伝子の誘導の間の関係を明らかにした。iAs(III)は,SRE/ELK1結合部位(-400~-200)およびCRE結合部位(-50)周辺のFOSプロモーターでH3S10pおよびH3K9me3S10pを増加した。対照的に,SRE/CRE結合部位(-200から-50)のEGR1プロモーター周辺のヒストンH3は,iAs(III)によりH3S10pとH3K9me3S10pに修飾された。FOSとEGR1プロモーターの欠失変異体によるレポーター遺伝子アッセイは,SRE/ELK1部位がiAs(III)仲介FOS誘導に重要であり,SRE/CRE部位がEGR1誘導に重要であることを明らかにした。まとめると,これらの結果は,iAs(III)がFOSとEGR1プロモーターの転写因子結合部位周辺のヒストンH3修飾を誘導し,これらの修飾がこれらの遺伝子の転写活性化に重要であることを示す。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
有機化合物の毒性  ,  生物薬剤学(基礎) 

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