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J-GLOBAL ID：201802284196005052   整理番号：18A0174914

錬金術的微分を用いた等電子的BNドープグラフェン上の解離性水吸着の探索

Exploring dissociative water adsorption on isoelectronically BN doped graphene using alchemical derivatives

著者 (3件)： Al-Hamdani Yasmine S. (Thomas Young Centre and London Centre for Nanotechnology, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, United Kingdom) ,  Michaelides Angelos (Thomas Young Centre and London Centre for Nanotechnology, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, United Kingdom) ,  von Lilienfeld O. Anatole (Institute of Physical Chemistry and National Center for Computational Design and Discovery of Novel Materials (MARVEL), Department of Chemistry, University of Basel, Klingelbergstrasse 80, CH-4056 Basel, Switzerland)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 147  号： 16  ページ： 164113-164113-8  発行年： 2017年10月28日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい二次元材料の設計と生産は,過去10年間に大きな進歩が見られ,そのような材料の化学の更なる研究を促している。ドーピングと水素化グラフェンは,その表面化学を変える実験的に実現した方法であるが,分子の吸着にドーピングがどのように影響しているかに関しては,まだ理解されるべき多くのことがある。この理解を開発は,これらの材料の応用の可能性を開く鍵となる。高スループットスクリーニング法は,広大な化学組成の材料を調べるために特に有効な方法を提供することができる。本研究では,錬金術的微分を,水素化グラフェンの種々のBNをドープしたトポロジー上の水分子の解離的吸着エネルギーをスクリーニングする方法として使用した。錬金術的微分からの予測は,密度汎関数理論との比較により評価した。このスクリーニング法は,2eV以上の範囲に及ぶ解離吸着エネルギーを,<0.1eVの平均絶対誤差で予測することがわかった。さらに,そのような予測の品質は,初期状態におけるKohn-Sham最高被占分子軌道の検討によりただちに評価できることを示した。このようにして,水の解離的吸着エネルギーにおける二乗平均平方根誤差は,不十分な予測をフィルタリングした後に,ほぼ1桁の大きさ( 0.02eVまで)で減少する。これらの所見は,効率的なスクリーニング法のための一次錬金術的微分の信頼できる使用に道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  *グラフェン ,  *吸着 ,  *解離吸着 ,  ドーピング ,  水素化 ,  スクリーニング ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー ,  水分子 ,  予測誤差 ,  Kohn-Sham方程式 ,  HOMO
準シソーラス用語： *水吸着 ,  二次元材料 ,  高スループット法 ,  スクリーニング法 ,  密度汎関数理論 ,  平均絶対誤差 ,  最高被占分子軌道

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 錬金術 ,  微分 ,  BN ,  ドープ ,  グラフェン ,  解離性 ,  水吸着 ,  探索