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J-GLOBAL ID：201802284229517687   整理番号：18A0573401

内部光電子放出分光法を用いたZrCuAlNi非晶質金属と原子層蒸着絶縁体間のエネルギー障壁の評価【Powered by NICT】

Assessment of Energy Barriers Between ZrCuAlNi Amorphous Metal and Atomic Layer Deposition Insulators Using Internal Photoemission Spectroscopy

著者 (6件)： Jenkins Melanie A. (School of Electrical Engineering and Computer Science Oregon State University, Corvallis, OR 97330, USA) ,  Klarr Tyler (School of Electrical Engineering and Computer Science Oregon State University, Corvallis, OR 97330, USA) ,  Austin Dustin Z. (School of Electrical Engineering and Computer Science Oregon State University, Corvallis, OR 97330, USA) ,  Li Wei (Engineering Physics Division National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 20899, USA) ,  Nguyen Nhan V. (Engineering Physics Division National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 20899, USA) ,  Conley John F. Jr. (School of Electrical Engineering and Computer Science Oregon State University, Corvallis, OR 97330, USA)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700437  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超平滑非晶質金属電極,ZrCuAlNi,およびいくつかの原子層堆積(A LD)絶縁体の間のエネルギー障壁高さは内部光電子放出(IPE)分光法を用いて測定した。ZrCuAlNi絶縁体障壁はAl上部接点を持った金属-絶縁体-金属(MIM)スタック内で特性化し,その結果をAl/insulator障壁高さと比較した。ZrCuAlNi界面で測定された障壁高さはSiO_2,Al_2O_3,HfO_2,ZrO_2の3.3年,3.2年,3.0年,および2.2eVであることが分かった。障壁高さ傾向は,それぞれの酸化物の電子親和性と一致した。SiO_2とAl_2O_3の障壁はZrCuAlNiの報告された真空仕事関数に基づいて予測した,これらの素子構造における小さいZrCuAlNi有効仕事関数を示す理想的なそれよりも小さかった。測定されたAl障壁高さの結果は,Al A LD絶縁体界面で負の双極子の以前の報告を確認した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  *非晶質金属 ,  仕事関数 ,  キャラクタリゼーション ,  素子構造 ,  界面 ,  *光電子放出 ,  電子親和力 ,  *アルミニウム ,  *絶縁体 ,  *スペクトロスコピー ,  双極子
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  *エネルギー障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 障壁の高さ ,  コンデンサ ,  内部光電子放出 ,  金属-絶縁体-金属構造 ,  トンネルダイオード

分類 (4件)： 電子放出一般  (BM09010H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子放出 ,  分光法 ,  非晶質金属 ,  原子層蒸着 ,  絶縁体 ,  エネルギー障壁 ,  評価