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J-GLOBAL ID：201802284286159930   整理番号：18A0195143

SiGeにおける高効率100Gb/s4Vpp PAM-4ドライバ:光変調器のためのC BiCMOS【Powered by NICT】

High-efficiency 100-Gb/s 4-Vpp PAM-4 driver in SiGe:C BiCMOS for optical modulators

著者 (6件)： Rito P. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Lopez I. Garcia (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Awny A. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Ko M. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Ulusoy A. C. (ECE Department, Michigan State University, East Lansing, MI 48823, USA) ,  Kissinger D. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APMC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,300/500GHzのf_T/f_maxを含む130nmのSiGe:C BiCMOS技術で実現した光変調器のためのPAM-4運転者を提示した。設計は電流モードトポロジーにおける内蔵2ビットDACを有する単段増幅器から構成されている。運転者は100Ω差動荷重を4Vppの最大差動出力振幅を実現し,40GHzの小信号帯域幅を特徴とする。時間領域測定は50Gbaud(100 Gb/s)のボー速度まで1以下VppdのOOK信号を用いた二入力を供給している,出力でPAM-4符号化データ信号を実証を行った。運転者の全電力消費は390mWであり,これは散逸比5.1%の運転者の高い効率を示すことに出力パワーに相当する。著者の知る限りでは,これはこのような高データレートと出力電圧を達成するSiGeにおける最初のPAM-4運転者,将来の400-Gb/s光送信機に適している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光変調素子 ,  *BiCMOS ,  位相幾何学 ,  帯域幅 ,  増幅器 ,  電力消費 ,  動荷重
準シソーラス用語： 光送信機 ,  出力電圧 ,  データレート ,  内蔵 ,  電流モード ,  *高効率 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  高効率 ,  PAM ,  ドライバ ,  光変調器 ,  BiCMOS