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J-GLOBAL ID：201802284576610544   整理番号：18A1700294

高応答性の短波赤外光検出を行うシリコン上のGeSnヘテロ接合フォトトランジスタ

GeSn Heterojunction Phototransistors on Silicon for High-Responsivity Short-Wave Infrared Photodetection

著者 (2件)： HUNG Wei-Ting (National Chung Cheng Univ., Chiayi County, TWN) ,  CHANG Guo-En (National Chung Cheng Univ., Chiayi County, TWN)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21a-211B-4  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム合金 ,  スズ含有合金 ,  半導体材料 ,  電子技術 ,  応答特性 ,  応答 ,  Franz-Keldysh効果 ,  *フォトトランジスタ
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  *光応答

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応答性 ,  短波 ,  赤外光 ,  シリコン ,  ヘテロ接合 ,  フォトトランジスタ