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J-GLOBAL ID：201802284728870225   整理番号：18A0219677

CMOSディジタルIC三相出力管の漏れ電流経路解析【JST・京大機械翻訳】

CMOS Digital IC Three-State Output Terminals Leakage Fault Localization

著者 (5件)： Li Xinghong (北京微電子技術研究所,北京,100076) ,  Zhao Junping (北京微電子技術研究所,北京,100076) ,  Wang Yong (北京微電子技術研究所,北京,100076) ,  Fang Cebao (北京微電子技術研究所,北京,100076) ,  Huang Xin (北京微電子技術研究所,北京,100076)
資料名： Huanjing Jishu  (Huanjing Jishu)
巻： 35  号： 4  ページ： 80-82  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3765A  ISSN： 1004-7204  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,二重電源電圧三状態出力回路の原理図に基づいて,VOL,VOH,IOZH,IOZLの故障を引き起こす可能性のある理由を示した。高抵抗高レベル漏れ電流の故障を引き起こすことを指摘し、その他の機能パラメータが正常な故障モードの故障位置が出力NMOS管の駆動段のPMOS管漏れによるものであることを指摘した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： NMOS構造 ,  故障モード ,  故障 ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： PMOS構造 ,  電源電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信頼性  (KB04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSディジタルIC ,  三相 ,  漏れ ,  電流経路 ,  解析