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J-GLOBAL ID：201802285113153976   整理番号：18A0481221

Cs/GaN超薄界面の電子構造のシンクロトロン光電子放出研究【Powered by NICT】

Synchrotron-based photoemission study of electronic structure of the Cs/GaN ultrathin interface

著者 (9件)： Benemanskaya G.V. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, V.O., Bolshoj pr. 61, St.-Petersburg 199178, Russia) ,  Benemanskaya G.V. (Ioffe Institute, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Kukushkin S.А. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, V.O., Bolshoj pr. 61, St.-Petersburg 199178, Russia) ,  Kukushkin S.А. (St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics, St. Petersburg, 197101 Russia) ,  Dementev P.A. (Ioffe Institute, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Lapushkin M.N. (Ioffe Institute, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Timoshnev S.N. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, V.O., Bolshoj pr. 61, St.-Petersburg 199178, Russia) ,  Timoshnev S.N. (St. Petersburg National Research Academic University, Khlopina str.8/3, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Smirnov D.V. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II, Albert-Einstein-Strasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 271  ページ： 6-10  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cs/n GaNナノ界面の電子構造は70 400eVのエネルギー範囲での励起によるシンクロトロンベース光電子分光法によってその場研究した。GaN試料はAlGaN/SiC/Si基板上に低欠陥非ナノスケール膜のエピタクシーのオリジナルな方法により成長させた。表面状態スペクトルおよびGaの3d,4d,Cs5p,1s内殻準位スペクトルの変化を異なるセシウム被覆率下で明らかにした。~5.0eVと~7.0eVの結合エネルギーで清浄なGaN表面の固有の表面状態はCs吸着過程で減衰する。同時に三Cs誘起表面状態が生じることが分かった。表面状態スペクトルの劇的な変化を確認し,半導体Cs/n GaN界面の形成と電子再分布効果を開始する局所相互作用するGaダングリングボンドと吸着したCs原子から生じたことが示された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *界面 ,  *光電子放出 ,  被覆率 ,  エピタクシー ,  結合エネルギー ,  半導体 ,  スペクトル ,  光電子分光法 ,  *セシウム ,  *ガリウム ,  *電子構造 ,  *窒化ガリウム ,  内殻準位
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A III族窒化物 ,  C.金属GaN界面 ,  D表面電子構造 ,  E.光電子分光

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cs ,  GaN ,  界面 ,  電子構造 ,  シンクロトロン ,  光電子放出 ,  研究