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J-GLOBAL ID：201802285203526607   整理番号：18A1417164

青色波長領域における標準CMOSプロセスにより作製された高速かつ高応答のアバランシェフォトダイオード

High Speed and High Responsivity Avalanche Photodiode Fabricated by Standard CMOS Process in Blue Wavelength Region

著者 (5件)： IIYAMA Koichi (School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University) ,  MARUYAMA Takeo (School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University) ,  GYOBU Ryoichi (School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University) ,  HISHIKI Takuya (School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University) ,  SHIMOTORI Toshiyuki (School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E101.C  号： 7  ページ： 574-580(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4分割シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)を,標準0.18μmCMOSプロセスで試作し,ブルーレイ用途として波長405nmで特性評価した。各APD素子のサイズは50×50μm²とした。暗電流は低バイアス電圧で10pAであり,隣接するAPD素子間で約-80dBの低いクロストークが達成された。低バイアス電圧では感度は0.1A/W未満であったが,アバランシェ増幅のためにバイアス電圧が10V未満では感度が1A/W以上に向上した。1.5GHzの広い帯域幅は1A/W以上の応答性で達成でき,これはAPDの静電容量によって制限されていた。筆者らは,試作した4分割APDが多層ブルーレイシステム用の有望なフォトダイオードであると主張した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  フォトダイオード ,  *アバランシェフォトダイオード ,  *CMOS ,  DVD【ディスク】 ,  漏話 ,  電圧 ,  ブルーレイディスク
準シソーラス用語： シリコン ,  バイアス電圧 ,  光クロストーク

著者キーワード (5件)： シリコン ,  フォトダイオード ,  アバランシェフォトダイオード ,  CMOS ,  ブルーレイ

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

引用文献 (18件)：

• [1] M. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, M. Oehme, and E. Kasper, “Ge-on-Si vertical incidence photodiodes with 39-GHz bandwidth,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol.17, no.7, pp.1510-1512, 2005. 10.1109/lpt.2005.848546
• [2] Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A.L. Beck, S.K. Banerjee, and J.C. Campbell, “21-GHz-bandwidth Germanium-on-Silicon photodiode using thin SiGe buffer layers,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol.12, no.6, pp.1450-1454, 2006. 10.1109/jstqe.2006.884073
• [3] S. Klinger, M. Berroth, M. Kaschel, M. Oehme, and E. Kasper, “Ge-on-Si p-i-n photodiodes with a 3-dB bandwidth of 49 GHz,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol.21, no.13, pp.920-922, 2009. 10.1109/lpt.2009.2020510
• [4] J. Michel, J. Liu, and L.C. Kimerling, “High-performance Ge-on-Si photodetectors,” Nature Photonics, vol.4, pp.527-534, DOI: 10.1038/NPHOTON.2010.157, 2010. 10.1038/nphoton.2010.157
• [5] T.K. Woodward and A.V. Krishnamoorthy, “1-Gb/s integrated optical detectors and receivers in commercial CMOS technologies,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. vol.5, no.2, pp.146-156, 1999. 10.1109/2944.778271

タイトルに関連する用語 (7件)： 青色 ,  波長領域 ,  標準 ,  CMOSプロセス ,  作製 ,  応答 ,  アバランシェフォトダイオード