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J-GLOBAL ID：201802285214710735   整理番号：18A0521649

バイオセンシング応用のためのSiGeソース電荷プラズマTFET【Powered by NICT】

SiGe Source Charge Plasma TFET for Biosensing Applications

著者 (4件)： Shafi Nawaz ,  Sahu Chitrakant ,  Periasamy C. ,  Singh Jawar
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： iNIS  ページ： 93-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいTFETバイオセンサアーキテクチュアは,低エネルギーバンドギャップ源材料すなわちSiGeとの結合における電荷プラズマ法に基づいていることを提案した。提案したデバイスの感度は,バイオセンシング応用のための従来のドープしたDG-TFETと比較した。電荷密度と誘電率生体試料のデバイス特性を調節する固有の特性として使用されている。電荷プラズマTFETは,DG-TFETよりも急勾配で優れたION/IOFF比とサブしきい値スイングを示した。より高い誘電定数を持つ生体試料では,CP TFETにおける感度はDG-TFETバイオセンサよりも約62%多かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電荷 ,  誘電率 ,  ドーピング ,  *バイオセンサ ,  バンドギャップ ,  *プラズマ ,  生体試料
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  デバイス特性 ,  電荷密度 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： バイオセンシング ,  応用 ,  SiGe ,  ソース ,  電荷 ,  プラズマ ,  TFET