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J-GLOBAL ID：201802285554217706   整理番号：18A0706190

ナノエレクトロニクスと光触媒水分解のための二次元ペンタ-Sn_3H_2単層:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional penta-Sn₃H₂ monolayer for nanoelectronics and photocatalytic water splitting: a first-principles study

著者 (9件)： Zhang Peng (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology, Beijing 102209, China) ,  Yang Xibin ,  Wu Wei ,  Tian Lifen ,  Xiong Daxi ,  Cui Heping ,  Chen Xianping ,  Zheng Kai ,  Ye Huaiyu
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 21  ページ： 11799-11806  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい特性を有する二次元材料の探索は,将来のエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおけるそれらの潜在的応用のために,特に重要になっている。本研究では,ペンタ-Sn_3H_2の電子的および光学的性質を密度汎関数理論により調べた。フォノンスペクトルを評価することにより,ペンタ-Sn_3H_2単分子層は,sp2-sp3ハイブリッド軌道をsp3混成に変換する水素化により,元のペンタ-スタネンと比較してエネルギー的により有利であることを見出した。著者らの計算は,ペンタ-Sn_3H_2がGGA汎関数(HSE06汎関数に従って2.44eV)に従って1.48eVの間接バンドギャップを有する半導体であることを明らかにした。さらに,ペンタ-Sn_3H_2の電子構造は,二軸引張歪によって効果的に調整することができた。一方,著者らの計算は,間接的なバンドギャップ遷移が,>4%の二軸歪によって,この単層シートにおいて達成できることを明らかにした。他方では,良く位置したバンド端と可視光吸収は,ペンタ-Sn_3H_2を光触媒水分解のための潜在的に有望なオプトエレクトロニクス材料にする。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  電子構造 ,  *第一原理 ,  *二次元 ,  汎関数 ,  密度汎関数法 ,  *光触媒 ,  オプトエレクトロニクス ,  光学的性質 ,  *電子技術 ,  二軸
準シソーラス用語： 引張歪 ,  間接バンドギャップ ,  混成軌道 ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノエレクトロニクス ,  光触媒 ,  水分解 ,  ペンタ ,  単層 ,  第一原理 ,  研究