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J-GLOBAL ID：201802285945536603   整理番号：18A2108629

電気光学高分子変調器に基づく高温耐性112Gbit/s PAM4変調器【JST・京大機械翻訳】

High Temperature Resistant 112 Gbit/s PAM4 Modulator Based on Electro-Optic Polymer Modulator

著者 (5件)： Yokoyama S. (Kyushu University, Institute for Materials Chemistry and Engineering, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Lu G-W. (Kyushu University, Institute for Materials Chemistry and Engineering, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Miura H. (Department of Molecular and Material Science, Kyushu University, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Qiu Feng (Kyushu University, Institute for Materials Chemistry and Engineering, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Spring Andrew M. (Department of Molecular and Material Science, Kyushu University, Fukuoka, 816-8580, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECOC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温度抵抗性電気光学高分子変調器を作製し,信頼できる56Gbit/s 00kと112Gbit/s PAM-4を生成することを実証した。高いT_g重合体の展開により,広い温度範囲(20°C~95°C)で発生した信号に対して,無視できるQ値変動が観測された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *耐熱性 ,  高温 ,  *変調器 ,  Q値
準シソーラス用語： 温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気光学高分子 ,  変調器 ,  高温耐性