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J-GLOBAL ID:201802285994536182   整理番号:18A1453984

薄い規格配向シリコン鋼の二次再結晶過程におけるGoss集合組織進化のMonteCarloシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Monte Carlo Simulation of the Evolution of Goss Texture in Secondary Recrystallization of Thin Gauge Grain Oriented Silicon Steel
著者 (8件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 313-315,332  発行年: 2018年 
JST資料番号: C2126A  ISSN: 1005-023X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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EBSD実験を通じて、薄規格配向シリコン鋼(0.18mm厚)の初回再結晶サンプルの表面結晶粒組織の配向データを獲得し、それを用いてシミュレーションの初期組織を構築した。PottsモデルMonteCarlo法を用いて、薄規格配向シリコン鋼の初回再結晶サンプルの二次再結晶過程に対してシミュレーションシミュレーションを行った。Goss集合組織に及ぼす表面エネルギーの影響を研究した。シミュレーション結果は,以下を示す。Goss方位結晶粒と隣接結晶粒の表面エネルギー差はGoss配向結晶粒の異常成長の重要な駆動力である。表面エネルギー差の臨界値(約12%)が存在し、表面エネルギー差がこの臨界値より大きい時のみ、表面エネルギー駆動Goss配向結晶粒の異常成長が生じる。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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化学工業一般 

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