文献

J-GLOBAL ID：201802286480150999   整理番号：18A0521055

Bドットプローブアレイデータのインバージョンによる電気的に爆発箔の表面電流密度分布の測定【Powered by NICT】

Surface current density distribution measurements of an electrically exploded foil via B-dot probe array data inversion

著者 (9件)： Ruden E. L. (Air Force Research Laboratory, Directed Energy Directorate, AFRL/RDHP, 3550 Aberdeen Ave. SE, Kirtland AFB, NM 87117-5776 USA) ,  Amdahl D. J. (Air Force Research Laboratory, Directed Energy Directorate, AFRL/RDHP, 3550 Aberdeen Ave. SE, Kirtland AFB, NM 87117-5776 USA) ,  Cooksey R. H. (Air Force Research Laboratory, Directed Energy Directorate, AFRL/RDHP, 3550 Aberdeen Ave. SE, Kirtland AFB, NM 87117-5776 USA) ,  Robinson P. R. (Air Force Research Laboratory, Directed Energy Directorate, AFRL/RDHP, 3550 Aberdeen Ave. SE, Kirtland AFB, NM 87117-5776 USA) ,  Analla F. T. (Leidos Engineering, Inc., Albuquerque, NM 87106 USA) ,  Brown D. J. (Leidos Engineering, Inc., Albuquerque, NM 87106 USA) ,  Kostora M. R. (Leidos Engineering, Inc., Albuquerque, NM 87106 USA) ,  Camacho J. F. (Leidos Engineering, Inc., Albuquerque, NM 87106 USA) ,  Makhin V. (TechFlow Inc., 2155 Louisiana Blvd NE, Suite 4200, Albuquerque, NM 87110-5409 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PPC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オーム加熱による温高密度物質への爆発としての測定は15.2cmの中心幅に狭くなることを水タンプア80μmのAl箔の中心から横方向の距離の関数として単位長さ当りの電流を示した。電流30kVまで充電と2.0μsで342kAのピーク電流に排出される36μFコンデンサバンクから供給された。分布分散長箔の中央半値幅Bドットプローブのアレイからの信号の線形正則化インバージョンによって計算した。プローブが,興味ある時間の間非侵襲的かつ機械的に乱されていないであること箔(1 cm)から十分遠く離れている。これらの結果は,運転者を代表する二ループ集中回路モデルと結合した外部形状の三次元MHD ALEGRAシミュレーションと比較した。表面電流密度は低電流キャリブレーション試験のための箔端でピークに強く,電気伝導率は本質的に一定である。広く全エネルギーショットのピーク電流でが,エッジでの最初の箔融合,続いてピーク電流の時間による中心に相対的に電流密度を低減し,中心にピークを示した。実験のこの点で広い一致と熱的および電気的伝導率モデルSNLゴマ293731を用いたALEGRAである。ALEGRAは0.5μs以前,,50kAより高い電流ピークが計算した。これはうまくモデル化ない伝導率表あるいは影響における誤差に起因する可能性がある,より高い全抵抗が,表現するために本シミュレーションには小さすぎる距離尺度となることが電気-熱不安定性である。IPPC2015で示されたそれの改定である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流密度 ,  抵抗加熱 ,  シミュレーション ,  線形性 ,  *プローブ ,  半値幅 ,  モデリング ,  電気伝導率 ,  粒状材 ,  *電流 ,  正則化 ,  三次元
準シソーラス用語： 伝導率 ,  ピーク電流 ,  *電流密度分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  食品の加熱  (FJ03030I) ,  肉製品  (FJ12033F) ,  電動機  (NB07030U) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 爆発 ,  箔 ,  電流密度分布