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J-GLOBAL ID：201802286604502631   整理番号：18A1085743

超ワイドバンドギャップ半導体β-Ga2O3単結晶の成長ブレークスルー2インチ【JST・京大機械翻訳】

Ultra-wide Bandgap Semiconductorβ-Ga2O3 Single Crystal Growth Breaks through 2 Inches

著者 (10件)： Tang Huili (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  He Nuotian (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Luo Ping (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Guo Chao (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Li Qiu (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Wu Feng (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Wang Qingguo (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Pan Xingyu (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Liu Bo (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092) ,  Xu Jun (同済大学,物理科学与工程学院高等研究院,上海 200092;上海藍宝石単晶工程技術研究中心,上海 200092)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 46  号： 12  ページ： 2533-2534  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(β-Ga2O3)単結晶は4世代超ワイドバンドギャップ酸化物半導体であり、そのバンドギャップ幅は4.84.9eVである。独特の紫外線透過特性(吸収カットオフ端260nm)を持つ。破壊電界強度は8MV/cmに達し,Siのほぼ27倍,SiC及びGaNの2倍以上であり,バリーの最適値はそれぞれSiC,GaNの10倍,4倍以上であった。軍事、エネルギー、医療、環境などの分野で重要な応用価値のため、近年、酸化ガリウム材料とデバイスの研究と応用は、現在アメリカ、日本、ドイツなどの国家の研究焦点と競争の重点となっている。中国はβ-Ga2O3結晶材料とデバイスに関する研究が遅れており、特にパワーデバイスと光電子デバイスの研究は少ない。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *単結晶 ,  *結晶 ,  酸化ガリウム ,  ドイツ連邦共和国 ,  窒化ガリウム ,  *バンドギャップ ,  アメリカ合衆国 ,  中華人民共和国 ,  ケイ素
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  軍事 ,  カットオフ ,  *ワイドバンドギャップ ,  *ワイドギャップ半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  単結晶の成長 ,  ブレークスルー ,  インチ