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J-GLOBAL ID:201802286618945002   整理番号:18A1314885

シリコンナノワイヤのRamanスペクトル及び蛍光スペクトルに及ぼす入射レーザパワーの影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

The Effect of Incident Laser Power on Raman Spectra and Photoluminescence Spectra of Silicon Nanowires
著者 (3件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 1118-1121  発行年: 2018年 
JST資料番号: C2093A  ISSN: 1000-0593  CODEN: GYGFED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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一次元ナノ材料シリコンナノワイヤは,重要な光電材料の1つであり,シリコンナノワイヤを化学気相蒸着によって調製する。種々のパワー532nmのレーザ励起下でのRamanスペクトルと蛍光スペクトルを測定し,入射レーザパワーが増加すると,一次Ramanスペクトルが赤方偏移し,非対称に広がった。フォノン閉じ込め効果,歪効果及びレーザ不均一加熱効果を用いて実験結果を解析し,入射レーザパワーとRaman周波数シフトの理論関係曲線をMatlabを用いてシミュレートした。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (3件):
分類 (1件):
分類
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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
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