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J-GLOBAL ID：201802286841032610   整理番号：18A0705598

垂直積層SnS-WS_2とSnS-MOS_2p-nヘテロ接合の二段階合成とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Two-step synthesis and characterization of vertically stacked SnS-WS₂ and SnS-MoS₂ p-n heterojunctions

著者 (6件)： Sukma Aji Adha (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Fukuoka 816-8580, Japan. [e-mail]) ,  Izumoto Masanori ,  Suenaga Kenshiro ,  Yamamoto Keisuke ,  Nakashima Hiroshi ,  Ago Hiroki
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 2  ページ： 889-897  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二段階化学蒸着(CVD)によるSnSとWS_2(またはSnSとMoS_2)から成るユニークなヘテロ構造の合成を実証した。三角形WS_2(MoS_2)結晶粒の最初のCVD成長の後,同じ基板上に正方晶SnS結晶粒を成長させるために,第二のCVDステップを実行した。これらのSnS結晶粒は基板温度200°Cで非常に低温で成長できることを見出した。大部分のSnS粒はWS_2(MoS_2)結晶粒の側面端から核形成し,大きな重なり領域を有する部分的に積層したヘテロ構造の形成をもたらした。SnS結晶粒は,15cm~2V~-1s-1の正孔移動度を有するドープp型移動特性を示したが,WS_2とMoS_2粒は,>10~6の高いオン/オフ比を有するn型特性を示した。SnS-WS_2及びSnS-MoS_2ヘテロ構造は明確な整流挙動を示し,それらの界面におけるp-n接合の形成を示した。低温SnS成長と組み合わせたこのヘテロ構造成長は,第一材料への可能な損傷を避けることにより,二次元ヘテロ構造を利用する有望な手段を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  結晶粒 ,  化学蒸着 ,  整流 ,  二次元 ,  界面 ,  PN接合 ,  正方晶系 ,  *キャラクタリゼーション ,  低温 ,  核形成 ,  *ヘテロ接合 ,  基板温度
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 塩  (CD01050V) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  SNS ,  二段階合成 ,  キャラクタリゼーション