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J-GLOBAL ID：201802287105476328   整理番号：18A0446813

モノリシックオンチップ光送受信機のためのトンネル変調Ge LED/レーザ光源とサーマル電圧スイッチング検出器【Powered by NICT】

Tunnel-modulated Ge LED/laser light source and a sub-thermal voltage switching detector for the monolithic on-chip optical transceiver

著者 (8件)： Koerner R. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany) ,  Fischer I. A. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany) ,  Soref R. (University of Massachusetts, Boston, Massachusetts, USA) ,  Schwarz D. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany) ,  Clausen C. J. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany) ,  Hanel L. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany) ,  Oehme M. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany) ,  Schulze J. (Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 24.4.1-24.4.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siフォトニック(SiP)素子順方向バイアスでの逆バイアスと光検出下での発光を可能にする,低電圧スイッチングGeトンネルダイオード(TD) Zenerエミッタ(ZE)[1]とEsakiコレクタ(EC)により可能となった上のGeの作製について報告する。デバイスを初めてモノリシック,高効率電気-光(E/O;Cs=114mV/dec)及び光学-電気(O/E;Cs=31mV/dec)TD制御キャリア注入と抽出から信号変換可能にする。光源(ZE)は超高速LED(f>1 GHz)とP_out=1.6mWの出力パワーを持つ共振器増強レーザ源として実現した。検出器(EC)におけるキャリア収集効率はEsakiトンネル接合により増強される,一方急速ターンオフは負性微分抵抗(NDR; f>22 GHz)により誘導されるサブ熱電圧スイッチングを可能にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トンネル接合 ,  光検出 ,  *電圧 ,  キャリア注入 ,  トンネルダイオード ,  バイアス ,  高速度 ,  *ゲルマニウム ,  *スイッチング ,  信号変換 ,  *検出器 ,  *光源
準シソーラス用語： キャリア収集 ,  逆バイアス ,  *光トランシーバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： オンチップ ,  光送受信機 ,  トンネル ,  変調 ,  Ge ,  LED ,  レーザ光源 ,  スイッチング ,  検出器