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J-GLOBAL ID：201802287233301201   整理番号：18A1212128

角回転による2D層状材料におけるバンドギャップ調整【JST・京大機械翻訳】

Band Gap Tuning in 2D Layered Materials by Angular Rotation

著者 (6件)： Polanco-Gonzalez Javier (Departamento de Fisica y Matematicas, Instituto de Ingenieria y Tecnologia, Universidad Autonoma de Cd. Juarez, Avenida del Charro #450 N. Cd. Juarez, Chihuahua C.P. 32310, Mexico) ,  Carranco-Rodriguez Jesus Alfredo (Materials Science and Engineering, McMaster University, 1280 Main St. West, Hamilton, ON L8S4L7, Canada) ,  Enriquez-Carrejo Jose L. (Departamento de Fisica y Matematicas, Instituto de Ingenieria y Tecnologia, Universidad Autonoma de Cd. Juarez, Avenida del Charro #450 N. Cd. Juarez, Chihuahua C.P. 32310, Mexico) ,  Mani-Gonzalez Pierre G. (Departamento de Fisica y Matematicas, Instituto de Ingenieria y Tecnologia, Universidad Autonoma de Cd. Juarez, Avenida del Charro #450 N. Cd. Juarez, Chihuahua C.P. 32310, Mexico) ,  Dominguez-Esquivel Jose Manuel (Instituto Mexicano del Petroleo, Eje Central Lazaro Cardenas No 152, Mexico D.F. 07730, Mexico) ,  Ramos Manuel (Departamento de Fisica y Matematicas, Instituto de Ingenieria y Tecnologia, Universidad Autonoma de Cd. Juarez, Avenida del Charro #450 N. Cd. Juarez, Chihuahua C.P. 32310, Mexico)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 2  ページ： 147  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン,グラフェン,二硫化タングステン,およびセレン化タングステン層状材料に対して,3°,5°,8°,および16°の回転角におけるスラブ間の誘起ねじり効果によりモアレパターンを決定するための一連の計算機支援高分解能透過電子(HRTEM)シミュレーションを示した。電子構造を調べるために,密度汎関数法(DFT)法を用いた一連の数値シミュレーションを,ハニカム状の新しい超格子上のバンド構造と状態密度の両方を決定するために,一般化勾配近似を用いたCambridge連続全エネルギーパッケージ(CASTEP)を用いて完了した。著者らの結果は,回転が8°に近づいたときに,解析した二次元系のほとんどに対して,回転が8°に近づいたときに金属転移を示した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  シミュレーション ,  状態密度 ,  *積層材料 ,  電子構造 ,  ねじり ,  金属 ,  *バンドギャップ ,  全エネルギー ,  密度汎関数法 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 ,  数値シミュレーション ,  セレン化タングステン ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： モアレパターン ,  MOS_2 ,  グラフェン ,  WS2 ,  WSe_2 ,  HRTEM

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (16件)：

• Weisser, O.; Landa, S. Sulfide Catalysts, Their Properties and Applications; Pergamon Press: New York, NY, USA, 1973.
• Perea-López, N.; Lin, Z.; Pradhan, N.R.; Iñiguez-Rábago, A.; Elías, A.L.; McCreary, A.; Lou, J.; Ajayan, P.M.; Terrones, H.; Balicas, L.; et al. CVD-grown monolayered MoS2 as an effective photosensor operating at low-voltage. 2D Mater. 2014, 1, 011004.
• Chianelli, R.R.; Ruppert, A.F.; Jose, M.; Va, A. HREM studies of layered transition metal sulfide catalytic materials. Catal. Today 1995, 23, 269-281.
• Vazquez, A. High Resolution electron microscopy of MoS2:Ni, MoS2:Co and MoS2:Fe layered crystals. Mater. Lett. 1998, 35, 22-27.
• Kobayashi, K. Moiré patterns in scanning tunneling microscopy images of layered materials. J. Vac. Sci. Technol. B 1996, 14, 175-178.

タイトルに関連する用語 (5件)： 角 ,  2D ,  層状材料 ,  バンド ,  ギャップ調整