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J-GLOBAL ID：201802287589309648   整理番号：18A1610139

TTF-TCNQベース電荷輸送材料における自己選別対交差指集合の構造-充填-性質相関【JST・京大機械翻訳】

Structure-Packing-Property Correlation of Self-Sorted Versus Interdigitated Assembly in TTF・TCNQ-Based Charge-Transport Materials

著者 (4件)： Niyas M. A. (School of Chemistry, Indian Institute of, Science Education and Research Thiruvananthapuram, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India) ,  Ramakrishnan Remya (School of Chemistry, Indian Institute of, Science Education and Research Thiruvananthapuram, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India) ,  Vijay Vishnu (School of Chemistry, Indian Institute of, Science Education and Research Thiruvananthapuram, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India) ,  Hariharan Mahesh (School of Chemistry, Indian Institute of, Science Education and Research Thiruvananthapuram, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 24  号： 47  ページ： 12318-12329  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数十年に研究された種々のドナー-アクセプタ(D-A)電荷移動共結晶の中で,テトラチアフルバレン-テトラシアノキノジメタン(F-Q)ベースの共結晶は,結晶構造の充填から生じる例外的な伝導性と磁気的性質により魅力的な材料化学者を有する。ここでは,18FのQベースの共結晶の結晶学的情報ファイルを,ケンブリッジ構造データベース(CSD)から抽出し,クラス1(D-on-DおよびA-on-A分離スタック;F・Q,F1Q-F6・Q,およびF・Q1),クラス2(-A-D-A-D-A-D-混合スタック;F6AQ-F11・QとF・Q2),クラス3[-A-D-A-A-D-A-;クラス3a(F12QとF13Q)と-D-D-A-A-;クラス3b(F14Q)]システムに分類した。Hirshfeld表面解析,PIXELエネルギー計算及び分子中の原子の量子理論(QTAIM)解析を選択した多成分電荷移動結晶について初めて行い,研究した共結晶により示される迅速な電子特性を示す3D結晶充填の異なるクラスをもたらす駆動力を調べた。ピクセル計算により,分散エネルギー成分が,研究中の大部分のF・Qベース共結晶に対する全格子エネルギーに最大寄与をすることを明らかにした。Q-on-Q二量体はF-Qにおいてエネルギー的に最も有利な二量体であるが,水素結合を形成するF上の置換基,C・-S,および他の弱い分子間相互作用はF1Q-F6(F2Qを除く)のF-on-F二量体のより大きな安定性をもたらす。Cの・・S,C_spの・・S,Sの・・N,およびπ・・π相互作用駆動のD-on-A二量体は,すべてのクラス2共結晶の最も安定な二量体であることがわかった。各クラスにおける代表的な共結晶のバンド構造と状態密度計算は,充填配置に従って異なる電子構造を示す。偏析したスタックにおけるD-オン-DとA-オン-A間の電子軌道の高い相互作用をもつF-QとF6-Qは,それぞれ金属様(バンドギャップ,E_g=0.003eV)と金属(Fermi準位の重なりバンド)であることが分かった。一方,クラス2に属するF6 Qの多形(F6A Q)は半導体型バンド構造(E_g=0.053eV)を示した。クラス3aのF12・Qは金属様バンド構造(E_g=0.001eV)を示した。望ましい充填と電荷移動特性を生じる弱い分子間相互作用を引き起こす多様な機能性置換基を有する発色団の微調整は,材料の化学と効率的な電子デバイスの作製における研究の機会を開く可能性を有する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドナー ,  電子構造 ,  量子論 ,  半導体 ,  アクセプタ ,  *結晶 ,  バンドギャップ ,  二量体 ,  電荷移動 ,  結晶構造 ,  水素結合 ,  三次元 ,  発色団 ,  分子間相互作用
準シソーラス用語： 共結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンド構造 ,  状態密度 ,  ドナー-アクセプタ系 ,  相互作用する量子原子 ,  材料科学

分類 (3件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  核酸一般  (EB04010U) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (9件)： TTF-TCNQ ,  電荷輸送材料 ,  自己 ,  選別 ,  交差 ,  指 ,  集合 ,  性質 ,  相関