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J-GLOBAL ID：201802287597318597   整理番号：18A0401436

フォトニック応用のためのGaN成長させたHVPEとMOCVDの多層多孔質構造【Powered by NICT】

Multilayer porous structures of HVPE and MOCVD grown GaN for photonic applications

著者 (10件)： Braniste T. (National Center of Material Study and Testing, Technical University of Moldova, MD-2004, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Ciers Joachim (Institute of Physics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015, Lausanne, Switzerland) ,  Monaico Ed. (National Center of Material Study and Testing, Technical University of Moldova, MD-2004, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Martin D. (Institute of Physics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015, Lausanne, Switzerland) ,  Carlin J.-F. (Institute of Physics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015, Lausanne, Switzerland) ,  Ursaki V.V. (Institute of Electronic Engineering and Nanotechnology “D. Ghitu”, Academy of Science of Moldova, MD-2028, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Sergentu V.V. (Institute of Applied Physics, Academy of Science of Moldova, MD-2028, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Tiginyanu I.M. (National Center of Material Study and Testing, Technical University of Moldova, MD-2004, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Tiginyanu I.M. (Institute of Electronic Engineering and Nanotechnology “D. Ghitu”, Academy of Science of Moldova, MD-2028, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Grandjean N. (Institute of Physics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015, Lausanne, Switzerland)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 102  ページ： 221-234  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,水素化物気相エピタクシー(HVPE)および有機金属化学気相蒸着(MOCVD)成長させたGaN中の多層多孔質構造を作製するための電気化学的プロセスの比較研究を報告した。HVPE成長GaNにおける,多層多孔質構造は,結晶成長中にドーピングの微細調節をもたらす自己組織化過程により得られることが分かった。しかし,これらのプロセスは,制御下で全体的にされていない。制御設計を持つ多層多孔質構造をMOCVDで成長させた試料中の電気化学エッチングの技術プロセスを最適化することにより,交互ドーピングプロファイルを持った薄い層の五対で構成した。試料を光学反射スペクトルの計算のための開発した方法によるSEM画像,光ルミネセンス分光法,微小反射率測定によって特性化し,転送行列解析とシミュレーションにより達成されてきた。Bragg反射器の設計のための生成した構造の適用性を実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反射スペクトル ,  ドーピング ,  転送行列 ,  *多層 ,  *窒化ガリウム ,  最適化 ,  キャラクタリゼーション ,  *MOCVD ,  光ルミネセンス ,  自己組織化 ,  結晶成長
準シソーラス用語： Bragg反射器 ,  反射率測定 ,  電気化学エッチング ,  *多孔構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  多層多孔質構造 ,  電気化学エッチング ,  顕微反射率測定 ,  転送行列解析 ,  Bragg反射器

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 応用 ,  GaN ,  成長 ,  HVPE ,  MOCVD ,  多層 ,  多孔質構造