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J-GLOBAL ID:201802287767080388   整理番号:18A1505749

正方晶Znx/PbO(X=S,Se)ヘテロ二重層の形成による光触媒特性の増強:計算予測【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Photocatalytic Properties by Forming Tetragonal ZnX/PbO (X = S, Se) Hetero-Bilayers: A Computational Prediction
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: e1800046  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2665A  ISSN: 2513-0390  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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van der Waalsヘテロ層状構造の形成は,個々の成分よりも優れたエネルギー関連応用における2D材料の性能を改善する有望な戦略である。本理論研究では,第一原理計算を用いて,新しい正方晶(t-)ZnX/PbO(X=S,Se)ヘテロ二分子層(BL)を調べた。準粒子GWとBethe-Salpeter方程式に基づく最先端の計算を用いて,t-ZnX/PbO BLの電子的および光学的性質を計算した。t-ZnX/PbO BLは太陽スペクトルにおいて強い光吸収を有し,太陽エネルギー収穫の潜在的に良好な候補となることが分かった。さらに,第一原理計算により,ZnX層からPbO層への明確な電荷移動があることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体結晶の電子構造  ,  光化学反応 

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