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J-GLOBAL ID：201802287816469320   整理番号：18A1211023

高電圧SoC応用のためのドレイン拡張FinFETデバイスの性能と信頼性の洞察【JST・京大機械翻訳】

Performance and reliability insights of drain extended FinFET devices for high voltage SoC applications

著者 (4件)： Kumar B Sampath (Advanced Nano-electronic Device and Circuits Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India 560012) ,  Paul Milova (Advanced Nano-electronic Device and Circuits Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India 560012) ,  Shrivastava Mayank (Advanced Nano-electronic Device and Circuits Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India 560012) ,  Gossner Harald (Intel Deutschland GmbH, Am Campeopn10-12,85576 Neubiberg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 72-75  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1,Drain拡張FinFETデバイス設計,および性能と信頼性に関連する課題について議論した。Finが可能な高電圧設計に対する性能対信頼性トレードオフに対する物理的洞察を詳述し,それらの平面対応物(DeMOS)と比較した。ESD信頼性,安全運転面積およびHCI信頼性に対するFin幅離散化の影響を検討した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *信頼性
準シソーラス用語： 離散化 ,  安全運転 ,  デバイス設計 ,  *FinFET ,  システムオンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電圧 ,  SOC ,  応用 ,  ドレイン ,  拡張 ,  FinFET ,  洞察