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J-GLOBAL ID:201802287844840740   整理番号:18A1393267

CzochralskiシリコンPERC太陽電池における光誘起劣化に及ぼす銅の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of copper on light-induced degradation in Czochralski silicon PERC solar cells
著者 (9件):
資料名:
巻: 186  ページ: 373-377  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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多結晶とCzochralski(Cz)シリコン基板の両方は,銅関連LID(Cu-LID)を含む光誘起劣化(LID)の様々な機構を被ることが知られている。Cu-LIDに関する過去の研究は,未処理ウエハ上でほとんど行われており,銅分布に及ぼす太陽電池プロセスの影響を省略している。ここでは,異なる量の銅で異なる品質のCz基板を注意深く汚染し,完全な工業的Cz-Si PERC太陽電池に基板を処理し,PV産業に対するCu-LIDの影響を包括的にマッピングした。結果は,銅汚染レベルとCz結晶品質の両方が,Cu-LIDの範囲に影響する重要な要因であることを示した。最も重要なことは,銅が微量の表面汚染のみに曝された後に完成したPERCセルのバルク中に著しい濃度をもたらすことを示す。結果として,小さな局所銅汚染領域(~3~4cm~2)さえも,フルサイズ(156×156mm2)セルパラメータにおいて強いLIDを誘導するのに十分であり,例えば光浸漬中に約7%の相対効率損失をもたらす。対応する短絡電流密度は汚染地域で2倍まで減少した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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