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J-GLOBAL ID：201802287874838983   整理番号：18A0584971

不揮発性トランジスタメモリデバイスのための調整可能な電荷貯蔵材料としての金属フタロシアニンコアをもつ星状重合体【Powered by NICT】

A star polymer with a metallo-phthalocyanine core as a tunable charge storage material for nonvolatile transistor memory devices

著者 (8件)： Aimi Junko (Molecular Design & Function Group, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan. [e-mail]) ,  Wang Po-Hung ,  Shih Chien-Chung ,  Huang Chih-Feng ,  Nakanishi Takashi ,  Takeuchi Masayuki ,  Hsueh Han-Yu ,  Chen Wen-Chang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 11  ページ： 2724-2732  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷貯蔵材料として金属フタロシアニン(MPc)-コア星状ポリスチレンを用いた有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリ素子の素子性能を制御するための戦略を提示した。三つの異なる数平均分子量のポリスチレン腕を持つMPcコア四腕星状重合体(M=CuまたはZn)を,原子移動ラジカル重合と環化反応金属イオンにより調製した;高分子マトリックス中に分散したMPcコアの密度はポリマアームの長さに依存した。星状重合体を含むペンタセン・ベースのOFETメモリーデバイスの電荷キャリア移動度はMPcコアユニットの存在だけでなく,高分子薄膜のナノ構造のためにMPcコア星状重合体層の性質によって変化した。OFETデバイスへの外部ゲートバイアスの適用は,しきい値電圧の顕著な可逆的シフトを引き起こし,記憶シフトの大きさは星状重合体マトリックス中のMPcコアの重量百分率に比例した。メモリ素子は,高いメモリオン/オフ電流比(>10~5)と長い保持特性(>10~5 s)を示し,不揮発性有機メモリ素子として特性化することを可能にする保持時間は星状重合体のMnの増加と共に拡大した。MPcコア星状重合体は有機フラッシュメモリデバイスの性能を制御するための電荷蓄積層として設計された有望な材料である。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  高分子薄膜 ,  ポリスチレン ,  保持時間 ,  記憶素子 ,  *金属フタロシアニン ,  キャラクタリゼーション ,  *非揮発性 ,  記憶装置 ,  電流 ,  *帯電 ,  *星状重合体 ,  キャリア移動度 ,  金属イオン
準シソーラス用語： 閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不揮発性 ,  トランジスタ ,  メモリデバイス ,  電荷貯蔵 ,  金属フタロシアニン ,  コア ,  星状重合体