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J-GLOBAL ID：201802287914068916   整理番号：18A0668934

半導体レーザー(GaAlAs)によるインプラント周囲粘膜炎の治療効果評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of the effect of semiconductor laser( GaAlAs) on peri-implant mucositis

著者 (2件)： Wang Zuojun (荊門市口腔医院口腔科 湖北 荊門 448000) ,  Zou Tingqian (荊門市口腔医院口腔科 湖北 荊門 448000)
資料名： Linchuang Kouqiang Yixue Zazhi  (Linchuang Kouqiang Yixue Zazhi)
巻： 33  号： 11  ページ： 685-687  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3731A  ISSN： 1003-1634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 目的;半導体レーザー治療と伝統的歯周治療のインプラント周囲粘膜炎に対する臨床治療の差異を比較する。方法;インプラント周囲の粘膜炎患者20例を選択し、基礎治療後1週間をベースラインとした。ランダムに二つのグループに分け、実験グループはスケーラー治療+半導体レーザー(GaAlAs)により治療し、レーザーエネルギーは970 nmに設定し、パワーは1ワット、パルスモードとした。対照群には、スクワラによる掻爬治療を行い、すべての患者において、オメプラゾール(塩酸ミノサイクリン軟膏)を補助し、歯周治療を行った。ベースラインと治療後の1カ月、3カ月の改良したプラーク指数(modification plaque index,mPLI)、プロービング深さ(probing depth,PD)を測定した。歯肉溝出血指数(modified sulcus bleeding index,mSBI)を改良した。結果;治療後1カ月と3カ月に、両群のmPLI、PD、mSBIとベースラインの比較はいずれも明らかに低下した(P<0.05)が、両群間の治療効果には統計学的有意差がなかった。結論;半導体レーザー(GaAlAs)によるインプラント周囲の粘膜炎の治療は安全かつ有効である。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 歯周療法 ,  *半導体レーザ ,  出血 ,  基準線 ,  統計学 ,  掻爬術 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  軟膏剤 ,  歯肉ポケット ,  安全性 ,  患者 ,  *治療法
準シソーラス用語： *臨床効果 ,  *粘膜炎 ,  *インプラント周囲粘膜炎 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Peri-implantal mucositis ,  Laser therapy ,  Clinical effect

分類 (3件)： 口腔衛生学  (GT07000I) ,  歯と口腔の疾患  (GT03000G) ,  代謝異常・栄養性疾患一般  (GD05010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体レーザー ,  GaAlAs ,  インプラント周囲粘膜炎 ,  治療効果評価