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J-GLOBAL ID：201802287999992562   整理番号：18A2029341

垂直積層ゲートオールアラウンド高歪ゲルマニウムナノワイヤp-FETの最初の実証【JST・京大機械翻訳】

First demonstration of vertically-stacked Gate-All-Around highly-strained Germanium nanowire p-FETs

著者 (24件)： Capogreco E. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Witters L. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Arimura H. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Sebaai F. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Porret C. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Hikavyy A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Loo R. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Milenin A. P. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Eneman G. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Favia P. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Bender H. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Wostyn K. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Litta E. Dentoni (Imec, Leuven, Belgium) ,  Schulze A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Vrancken C. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Opdebeeck A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Mitard J. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Langer R. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Holsteyns F. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Waldron N. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Barla K. (Imec, Leuven, Belgium) ,  De Heyn V. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Mocuta D. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI Technology  ページ： 193-194  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,著者らの以前の研究と比較して,改善された性能を有する300mm SiGe Strain-Relaxed-Buffers(SRB)上の歪んだp型Geゲート-オール-ラウンド(GAA)デバイスについて報告した。Q因子はI_off=100nA/μmにおいて25,I_on=500μA/μmに増加し,Ge FinFETに関する最良の公表結果に近づいた。良好なNBTI信頼性も維持された。単一ナノワイヤ(NW)のために開発したプロセスフローを用いて,8nmチャネル直径を特徴とする垂直積層歪Ge NWを初めて実証した。歪発展の系統的解析を単一及び二重Ge NWの両方で行い,Geワイヤに沿った1.7GPaの一軸応力を実証した。これはGe S/DとSi_0.3Ge_0.7SRBの間の格子不整合に起因する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  Q値 ,  信頼性 ,  格子不整合 ,  チャネル
準シソーラス用語： 単軸応力 ,  NBTI ,  FinFET ,  シリコンゲルマニウム ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  ゲートオールアラウンド ,  ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  FET ,  実証