文献

J-GLOBAL ID：201802288037610140   整理番号：18A1029031

c-Si太陽光発電用の不動態化接触における原子層蒸着金属酸化物薄膜の現状と展望【JST・京大機械翻訳】

Status and prospects for atomic layer Deposited metal oxide thin films in passivating contacts for c-Si photovoltaics

著者 (5件)： Macco Bart (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  van de Loo Bas W.H. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Melskens Jimmy (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Smit Sjoerd (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Kessels W.M.M. Erwin (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光起電力の分野において,原子層堆積(ALD)は,c-Siホモ接合セルのためのAl_2O_3ベースの表面不動態化層の調製におけるその成功のためにほとんど知られている。近年,不動態化接触と呼ばれる多くの新しいタイプのc-Siヘテロ接合が出現した。これらの概念において,金属酸化物薄膜を表面不動態化,キャリア選択性および透明導電性酸化物として用いた。このことは,ホモ接合に対するALDの成功がこの新しい分野に変換できるかどうかの疑問をもたらす。したがって,本研究はこれらの新しい概念の概観を提供し,この分野におけるALDの現在の役割と展望の両方を強調する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  *不動態化 ,  *太陽光発電 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  表面不動態化 ,  ホモ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  太陽光発電 ,  不動態化 ,  原子層蒸着 ,  金属酸化物薄膜 ,  現状 ,  展望