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J-GLOBAL ID：201802288075482682   整理番号：18A1597122

重イオンによって誘起された単一事象アップセットに対するDフリップフロップ構造と設計の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of D-Flip-Flop Architectures and Designs on Single-Event Upset Induced by Heavy Ions

著者 (6件)： Artola L. (ONERA-French Aerospace Lab, Toulouse, France) ,  Hubert G. (ONERA-French Aerospace Lab, Toulouse, France) ,  Ducret S. (Sofradir, Veurey-Voroize, France) ,  Mekki J. (CNES-French Space Agency, Toulouse, France) ,  Al Youssef Ahmad (ONERA-French Aerospace Lab, Toulouse, France) ,  Ricard N. (Sofradir, Veurey-Voroize, France)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65  号： 8  ページ： 1776-1782  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,重イオン下での読出し回路(ROIC)に使用されるDフリップフロップ(DFF)の単一イベントアップセット(SEU)感度に及ぼす設計の影響を強調した。いくつかの設計のためにLouvain大学で得られた新しい実験データを示した。単一イベント効果(SEE)予測ツールマルチスケール単一イベント現象予測プラットフォームを用いて,設計の関数として回路レベルでの故障発生を調べた。いくつかの場合,設計の特異性はDFFのSEUロバスト性の増加を可能にする。しかし,低温はDFFsのSEU感度に及ぼす設計の影響を制限するように見えた。結果は,レイアウトに依存しないSEU発生に及ぼす温度の非常に限られた影響を示した。これらの結果は,単一イベント過渡および単一イベント機能中断に関する最近の研究で示された実験データと一致した。これらの結果は,SEE測定中に素子を冷却する代わりに,室温での相補的金属-酸化物-半導体IR検出器(ROIC)の照射試験を行うことを可能にする。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 測定データ ,  検出器 ,  低温 ,  照射試験 ,  半導体 ,  予測 ,  酸化物 ,  SEU【シングルイベント】 ,  *重イオン ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 特異性 ,  マルチスケール ,  読出回路 ,  *単一事象 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 重イオン ,  誘起 ,  単一事象 ,  Dフリップフロップ ,  設計