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J-GLOBAL ID：201802288251578316   整理番号：18A2096425

SiC MOSFET前駆体パラメータに及ぼす加速ストレス試験の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Accelerated Stress-Tests on SiC MOSFET Precursor Parameters

著者 (4件)： Kozak Joseph P. (Bradley Dept. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA, USA) ,  Ngo Khai D.T. (Bradley Dept. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA, USA) ,  DeVoto Douglas J. (National Renewable Energy Laboratory (NREL), Golden, CO, USA) ,  Major Joshua J. (National Renewable Energy Laboratory (NREL), Golden, CO, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： 3D-PEIM  ページ： 1-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーMOSFETを集積することは,パワーエレクトロニクスシステムの性能を向上させるために非常に魅力的であるが,新しいデバイスによるシステムの信頼性は疑問のままである。本研究では,加速寿命試験の概要と,それらが励起するパッケージングと半導体破壊機構を示した。ここで説明した実験は,高温ゲートバイアス(HTGB),スイッチングサイクル,パワーサイクル,および熱サイクルを含んでいる。これらの実験は異なる破壊機構を示し,それは,限界電圧とオン抵抗に限定されていないが,異なるデバイスパラメータにおける劣化を示す。これらの4つの実験は,より信頼できるパワーエレクトロニクス回路を設計するために用いることができるデバイスとパッケージ劣化の間のスペクトルを例示するのを助ける。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *負荷試験 ,  *炭化ケイ素 ,  高温 ,  スイッチング ,  スペクトル ,  熱サイクル ,  半導体 ,  *前駆体 ,  オン抵抗 ,  信頼性 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： パワーサイクル ,  ゲートバイアス ,  破壊機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  前駆体 ,  パラメータ ,  加速 ,  ストレス試験