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J-GLOBAL ID：201802288252688464   整理番号：18A0476041

シリコン上の集積フォトニクスにおける第2高調波発生【Powered by NICT】

Second-Harmonic Generation in Integrated Photonics on Silicon

著者 (3件)： Rao Ashutosh (CREOL, The College of Optics and Photonics, University of Central Florida, Orlando, FL, 32816, USA) ,  Fathpour Sasan (CREOL, The College of Optics and Photonics, University of Central Florida, Orlando, FL, 32816, USA) ,  Fathpour Sasan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL, 32816, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201700684  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,第二高調波発生のためのシリコン基板上に統合された第二近似解非線形導波路に関する最近の進歩を紹介した。特に,シリコン基板上に集積した薄膜ニオブ酸リチウム,III-V族化合物半導体と誘電体導波路の実証をレビューした。完全性のために,関与する非線形光学過程の基礎を簡単に紹介した。コンパクト集積素子,例えば,周期的ポーリングとモード形状変調,位相整合のための示した方法を議論した。最後に,いかに統合フォトニクスはこの分野の進歩の恩恵を受けるかもしれないの見通しを提供した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ニオブ酸リチウム ,  *第二高調波発生 ,  位相整合 ,  誘電体導波管 ,  非線形光学 ,  完全性 ,  薄膜 ,  導波路 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 近似解 ,  シリコンウエハ ,  *フォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 集積フォトニクス ,  ニオブ酸リチウム ,  非線形光学 ,  第2高調波発生 ,  シリコン ,  薄膜

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  集積 ,  フォトニクス ,  第2高調波発生