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J-GLOBAL ID：201802288286435904   整理番号：18A0529648

電気二重層(EDL)ゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタを用いた心血管疾患のための高感度迅速マイクロRNA検出【Powered by NICT】

Highly sensitive and rapid MicroRNA detection for cardiovascular diseases with electrical double layer (EDL) gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors

著者 (15件)： Chen Yen-Wen (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Kuo Wen-Che (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Tai Tse-Yu (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chen-Pin (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Sarangadharan Indu (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Pulikkathodi Anil Kumar (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Wang Shin-Li (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Sukesan Revathi (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Lin Hsing-You (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Kao Kun-Wei (Epistar Corp., Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chia-Liang (Epistar Corp., Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Chen Chih-Chen (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Chen Chih-Chen (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Wang Yu-Lin (Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Wang Yu-Lin (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 262  ページ： 365-370  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電気二重層(EDL)ゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて高イオン強度溶液におけるマイクロRNA(miRNA)を直接検知する効率的で高感度な方法の開発を報告する。FET構造はトランジスタチャネルから分離した相補的DNAプローブ官能化ゲート電極を用いた。本研究では,心血管疾患(CVD)のバイオマーカーであるmiRNA,miR-126,miR 208aとmiR-21の検出に焦点を当てた。センサは1fM検出限界で臨床的に適切な濃度範囲と同程度であることをダイナミックレンジを持っている。センサの選択性は,完全相補的及びわずかにミスマッチ配列でセンサ応答を評価することにより実証した。小型センサは,初期段階でCVDを評価するための迅速miRNA検出のためのケアまたは在宅ケア診断のポイントに用いることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイオマーカー ,  センサ ,  イオン強度 ,  *HEMT ,  検出限界 ,  官能化 ,  プローブ ,  不整合 ,  ダイナミックレンジ ,  *心血管疾患 ,  *高感度 ,  *電気二重層 ,  cDNA
準シソーラス用語： *マイクロRNA ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaNH EMT ,  電気二重層 ,  miRNA ,  循環器疾患

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電気二重層 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  心血管疾患 ,  高感度 ,  マイクロRNA