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J-GLOBAL ID:201802288334176370   整理番号:18A0949268

半導体デバイスの超短パルスレーザー加工と熱影響評価

Ultrashort-Pulse Laser Processing and Evaluation of Heat-Affected Zone in Semiconductor Device
著者 (10件):
資料名:
号: OQD-18-010-021 光・量子デバイス研究会  ページ: 33-37  発行年: 2018年03月09日 
JST資料番号: Z0924B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (4件):
分類
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太陽電池  ,  特殊加工  ,  顕微鏡法  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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