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J-GLOBAL ID：201802288410431145   整理番号：18A1676562

パルスレーザ蒸着35Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O_3-65PbTiO_3薄膜 II 電気的性質に及ぼすAサイト欠陥と厚さスケーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Pulsed-Laser Deposited 35 Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-65 PbTiO₃ Thin Films-Part II: Influence of A-Site Deficiency and Thickness Scaling on Electric Properties

著者 (2件)： Morandi Carl (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA, USA) ,  Trolier-Mckinstry Susan (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 65  号： 9  ページ： 1534-1541  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のレベルのAサイト欠陥を持つ35Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O_3-65PbTiO_3(35BiMT-65PT)薄膜を高温不揮発性強誘電体メモリの可能性のある候補として調べた。Aサイト欠陥膜中のペロブスカイト相を核形成するために用いたPbTiO_3シード層は,強誘電ヒステリシスと誘電率への厚さ依存性を誘起した。このために,35BiMT-65PT膜の誘電応答は約960である。最大誘電率はAサイト欠陥膜に対して1MHzで430°Cであった。転移温度は膜厚に依存しない。tan(δ)は,膜の厚さと585°Cまでの温度にかかわらず,1MHzで15%以下のままである。高温分極-電場ヒステリシス測定は,温度上昇による電荷注入を示し,一方,正の負の下降測定は,200°Cまでの温度までのP_rの温度依存性をほとんど示さないことを示した。Poole-Frenkel放出は高磁場漏れ挙動を支配した。偏光解析で測定した屈折率は633nmで2.58であった。全ての試料は顕著な保持損失を示した。化学量論が改善されると,保持は初期ΔPの>40%が≒280分以上保持されるように改善される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分極 ,  キャリア注入 ,  非揮発性 ,  電場 ,  誘電率 ,  膜厚 ,  *薄膜成長 ,  高温 ,  *薄膜 ,  ヒステリシス ,  転移温度 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  屈折率
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  分極ヒステリシス ,  シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザ蒸着 ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  欠陥 ,  厚さ ,  スケーリング