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J-GLOBAL ID：201802288491252491   整理番号：18A0148567

分子強誘電体におけるNarrowestバンドギャップこれまで観測されたヘキサン 1,6 二アンモニウムPentaiodobismuth(III)【Powered by NICT】

The Narrowest Band Gap Ever Observed in Molecular Ferroelectrics: Hexane-1,6-diammonium Pentaiodobismuth(III)

著者 (8件)： Zhang Han-Yue (Ordered Matter Science Research Center and Jiangsu Key Laboratory for Science and Applications of Molecular Ferroelectrics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Wei Zhenhong (College of Chemistry, Nanchang University, Nanchang, 330031, P. R. China) ,  Li Peng-Fei (Ordered Matter Science Research Center and Jiangsu Key Laboratory for Science and Applications of Molecular Ferroelectrics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Tang Yuan-Yuan (Ordered Matter Science Research Center and Jiangsu Key Laboratory for Science and Applications of Molecular Ferroelectrics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Liao Wei-Qiang (Ordered Matter Science Research Center and Jiangsu Key Laboratory for Science and Applications of Molecular Ferroelectrics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Ye Heng-Yun (Ordered Matter Science Research Center and Jiangsu Key Laboratory for Science and Applications of Molecular Ferroelectrics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Cai Hu (College of Chemistry, Nanchang University, Nanchang, 330031, P. R. China) ,  Xiong Ren-Gen (Ordered Matter Science Research Center and Jiangsu Key Laboratory for Science and Applications of Molecular Ferroelectrics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 57  号： 2  ページ： 526-530  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱的に励起されたキャリアの数の増加に起因する漏れ電流は強誘電性の劣化に関係しているので,狭いバンドギャップと優れた強誘電性は強誘電体における本質的逆説。ヘキサン 1,6 二アンモニウム ペンタヨードビスマス(HDA BiI_5),新しい分子強誘電性は,有機-無機ハイブリッド材料のバンドギャップ工学を開発した。は1.89eVの本質的バンドギャップを特徴とし,2.0eV以下のバンドギャップを有する最初の分子強誘電体を表している。同時に,低温溶液処理はHDA BiI_5に基づく高品質強誘電薄膜を作製するために成功裏に適用された,高精度制御可能なドメイン反転を実現した。その狭いバンドギャップと優れた強誘電性のために,HDA BiI_5は分子強誘電体の開発におけるマイルストーンと考えられ,高密度データ貯蔵と光起電力変換における有望な応用である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 顕微鏡観察 ,  *バンドギャップ ,  *アンモニウムイオン ,  強誘電性 ,  薄膜 ,  データ蓄積 ,  光起電力 ,  ヨウ素 ,  漏れ電流 ,  *強誘電体 ,  ビスマス ,  逆理 ,  低温 ,  圧電気
準シソーラス用語： 強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ビスマス ,  よう素 ,  分子強誘電体 ,  圧電力顕微鏡観察 ,  薄膜

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子 ,  強誘電体 ,  バンドギャップ ,  観測 ,  ヘキサン ,  アンモニウム