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J-GLOBAL ID：201802288514264442   整理番号：18A1251010

抵抗ランダムアクセスメモリのための生体適合性グルコース膜のバイポーラ抵抗スイッチング挙動の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of the Bipolar Resistive Switching Behavior of a Biocompatible Glucose Film for Resistive Random Access Memory

著者 (6件)： Park Sung Pyo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Tak Young Jun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Kim Hee Jun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Lee Jin Hyeok (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Yoo Hyukjoon (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Kim Hyun Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 26  ページ： e1800722  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗性ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイスは,RRAMのスイッチング層のための天然生体材料であるグルコースを用いた簡単な溶液プロセスにより作製される。作製したグルコース系RRAM素子は10~3のスイッチング窓をもつ不揮発性バイポーラ抵抗スイッチング挙動を示した。加えて,グルコースベースRRAMの耐久性とデータ保持能力は,0.3Vで一定の電圧ストレス下で,100回の連続サイクルと10~4sまで安定な特性を示した。上部電極とグルコース膜間の界面を注意深く調べ,グルコース系RRAM素子のバイポーラスイッチング機構を実証した。グルコースベースRRAMもポリイミド膜上で評価し,柔軟なプラットフォームの可能性を検証した。さらに,マグネシウム電極を有するクロスバーアレイ構造を種々の基板上に調製し,インプラント可能な生体電子デバイスの分解性と生体適合性を評価した。これらは人体に無害で非毒性である。本研究は将来のバイオエレクトロニクスデバイスの開発に対する有意義な洞察を提供できると期待される。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  耐久性 ,  界面 ,  *スイッチング ,  非揮発性 ,  *生体適合性 ,  ヘキソース ,  アルドース
準シソーラス用語： 分解性 ,  電子素子 ,  電圧ストレス ,  データリテンション ,  生体材料 ,  *抵抗スイッチング ,  *バイポーラ ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バイオエレクトロニクスデバイス ,  生体材料 ,  グルコース ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  溶液プロセス

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

物質索引 (1件)： グルコース

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  生体適合性 ,  グルコース ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  解析