文献

J-GLOBAL ID：201802288605448796   整理番号：18A1413288

異なるバイアス下の強誘電メモリの全線量放射損傷効果【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric memory ionizing radiation effects at different biases

著者 (4件)： Zhang Xingyao (新疆理化技術研究所 中国科学院特殊環境功能材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011;新疆電子信息材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011) ,  Guo Qi (新疆理化技術研究所 中国科学院特殊環境功能材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011;新疆電子信息材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011) ,  Li Yudong (新疆理化技術研究所 中国科学院特殊環境功能材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011;新疆電子信息材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011) ,  Wen Lin (新疆理化技術研究所 中国科学院特殊環境功能材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011;新疆電子信息材料与器件重点実験室,新疆維吾爾自治区 烏魯木斉 830011)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 16  号： 1  ページ： 181-185  発行年： 2018年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2種類の商用強誘電体メモリのコバルト源放射試験を行い、異なるバイアス条件下の強誘電体メモリの総用量効果について研究した。超大規模集積回路試験システムを用いて,DC,AC,および機能パラメータを測定し,放射過程中の放射感度パラメータの変化を解析した。研究により、強誘電体メモリを異なるバイアス条件に置くと、強誘電体メモリの機能故障閾値が異なり、原因がバイアスの違いにより輻射損傷の短板回路モジュールが異なる可能性があることが明らかになった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  回路モジュール ,  故障 ,  *照射損傷 ,  コバルト ,  *バイアス ,  FeRAM ,  超LSI

著者キーワード (3件)： ferroelectric random memory ,  ionizing radiation effects ,  bias

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： バイアス ,  線量 ,  放射損傷