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J-GLOBAL ID:201802288635126158   整理番号:18A1027485

InPオンSi DFBレーザの100Gb/s電気吸収デュオバイナリ変調【JST・京大機械翻訳】

100-Gb/s Electro-Absorptive Duobinary Modulation of an InP-on-Si DFB Laser
著者 (13件):
資料名:
巻: 30  号: 12  ページ: 1095-1098  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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100Gb/sの単一チャネル光データ通信トランシーバは,指数関数的に成長するデータセンタトラフィックのためのコンパクトで費用対効果の高い解決策を提供することができる。可能な技術の一つは,非常にコンパクトで,効率的で,高速である,電気吸収変調単一モードレーザである。本稿では,シリコンフォトニクスプラットフォーム上に集積されたこのような送信機を実証した。低損失と高コントラスト導波路はSiフォトニクスによって提供されるが,利得と効率的な電気吸収はInPベースの多重量子井戸構造によって提供される。分散フィードバックレーザと集積した集中電気吸収変調器を設計し,このプラットフォームで製作した。エピタキシャルスタックはレーザと変調器に対して同一であり,作製プロセスをかなり容易にする。この方法で,1.6e-3のビット誤り率をもつ約100mのファイバ上で100Gb/sの単一チャネル電気二値光学データ輸送を実証することに成功した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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光通信方式・機器  ,  光集積回路,集積光学  ,  半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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